搜索结果:IRF3205ZPBF-VB

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对比产品型号品牌分类产品描述技术资料替代操作
晶体管 - FET,MOSFET - 单

台积电流片,长电科技封装;是一款单N沟道场效应晶体管,采用Trench技术,设计用于电动汽车电源模块、工业电力系统、太阳能逆变器、高性能电源模块、工业自动化控制系统等领域。TO220;N—Channel沟道,60V;120A;RDS(ON)=5mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=2~4V;

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