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IC MOSFET N-CH 55V 17A DPAK

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MOSFET N-CH 55V 17A DPAK

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采用先进的沟槽技术和设计，在低栅极电荷下提供优异的Rps(on)，可应用于多种应用领域。

MOSFET N-CH 55V 17A DPAK

IRLR024NPbF 是一款高性能N沟道MOS管，采用行业标准TO-252-2L封装，结构紧凑且散热良好。该器件亮点在于具备60V的最大漏源电压(VDSS)和15A的连续漏极电流(ID)，能有效应对高压大电流应用场景。其导通电阻低至38mΩ，显著提升系统能效，降低功耗。广泛应用于电源转换、电机驱动等电路设计，是高功率、高效能电子设备的优选组件。

N沟道,60V,20.0A,26mΩ@10.0V,20A,1.6V@250uA；应用领域：功率开关、高频开关、不间断电源等。

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应管，采用Trench工艺，具有高性能和稳定的特性，适用于多种应用场景例如电源开关模块、电动汽车充电器模块、工业控制系统模块、LED照明驱动器模块等领域。TO252；N—Channel沟道,60V；18A；RDS(ON)=73mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；