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MOSFET N-CH 55V 17A DPAK

MOSFET N-CH 55V 17A DPAK

N沟道,60V,20.0A,26mΩ@10.0V,20A,1.6V@250uA；应用领域：功率开关、高频开关、不间断电源等。

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应管，采用Trench工艺，具有高性能和稳定的特性，适用于多种应用场景例如电源开关模块、电动汽车充电器模块、工业控制系统模块、LED照明驱动器模块等领域。TO252；N—Channel沟道,60V；18A；RDS(ON)=73mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；

IRLR024NTRPBF 是一款高性能N沟道MOSFET，采用封装TO-252-2L，专为紧凑高效电路设计打造。此款器件提供60V的额定电压VDSS，以及强大的20A连续电流ID，确保出色的电力传输性能。尤其值得注意的是，其优异的导通电阻RD(on)低至27mΩ，大大降低了系统内部功耗，提升了整体能效。是您实现电源管理、优化电路性能的理想半导体组件选择。

类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：20A 功率(Pd)：42W JSMSEMI导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：37mΩ@10A,10V