搜索结果:IRLR024NTRPBF-VB

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对比产品型号品牌分类产品描述技术资料替代操作
晶体管 - FET,MOSFET - 单

台积电流片,长电科技封装;是一款单N沟道场效应管,采用Trench工艺,具有高性能和稳定的特性,适用于多种应用场景例如电源开关模块、电动汽车充电器模块、工业控制系统模块、LED照明驱动器模块等领域。TO252;N—Channel沟道,60V;18A;RDS(ON)=73mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=1~3V;

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