搜索结果:LBSS123LT1G

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晶体管 - FET,MOSFET - 单

N沟道,100V,0.17A,6Ω@10V

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晶体管 - FET,MOSFET - 单

特性:100V N沟道0.17A、高压小电流MOS管、小信号MOSFET。极小封装内实现了高耐压,同时保持极低的电容和电荷。应用:适合高压、低频、小信号的开关和电平转换场景等。

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晶体管 - FET,MOSFET - 单

台积电流片,长电科技封装;这是一款单个N型MOSFET,适用于低功率应用场合。其主要特点包括适中的电压和电流承受能力,以及较高的阈值电压和导通电阻。可用于各种需要低功率和高性能的电源控制和驱动应用中,特别适合于小型和便携式设备。SOT23;N—Channel沟道,100V;0.26A;RDS(ON)=2800mΩ@VGS=10V,VGS=±20V;Vth=1~2.5V;

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