特性：20V N沟道3A、低压MOS管、1.8V驱动MOSFET。导通电阻低、开关速度快、采用先进沟槽工艺，工作温度范围宽：-55℃ ~ +150℃，适应严苛环境。应用于消费电子（手机、可穿戴）、工业控制（PLC、传感器）、通信设备等领域。
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