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FeRAM是一种采用铁电工艺和硅栅CMOS工艺技术形成非易失性存储单元的芯片，配置为131,072字 × 8位。与SRAM不同，它无需使用数据备份电池即可保留数据。非易失性存储单元的读写耐久性提高到至少10¹³次循环，显著优于其他非易失性存储产品。写入内存后不需要像闪存或E²PROM那样的轮询序列。