搜索结果:QNM4184A

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对比产品型号品牌分类产品描述技术资料替代操作
晶体管 - FET,MOSFET - 单

1个N沟道,共源配置;Vdss=40V,Id=40A;RDS(ON)=11.5mΩ@4.5V;7.6mΩ@10V;Vgs=±20V,VGS(th)=1.1~2.4V;Ciss=1209pF,Coss=167pF,Crss=153pF;Pd=114W,Qg=48nC@10V;TJ=-55~150℃;无铅、先进沟槽工艺;应用于负载开关、PWM应用、电源管理。

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