搜索结果:QNM50P03AY

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对比产品型号品牌分类产品描述技术资料替代操作
晶体管 - FET,MOSFET - 单

1个P沟道,共源配置;Vdss=-30V,Id=-40A;RDS(ON)=13.5mΩ@-4.5V;7.4mΩ@-10V;Vgs=±20V,VGS(th)=-1~-2.2V;Ciss=1390pF,Coss=251pF,Crss=217pF;Pd=26W,Qg=25nC@-10V;TJ=-55~150℃;无铅、先进沟槽工艺、100% UIS TESTED、100% ΔVds TESTED;应用于负载开关、PWM应用、电源管理。

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