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单 FET,MOSFET

MOSFET N-CH 60V 28A DPAK

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晶体管 - FET,MOSFET - 单

MOSFET N-CH 60V 28A DPAK

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单 FET,MOSFET

这款N沟道场效应管(MOSFET)具备卓越的电气性能,其最大连续漏极电流ID可达30A,能够承受高达60V的漏源电压VDSS。该器件拥有低至22mΩ的导通电阻RDON,确保了在高负载下的高效能运行。同时,它支持-20V到+20V的栅源电压VGS范围,适用于要求快速开关和良好热性能的应用场景。此MOSFET是电源管理、LED照明以及消费电子等领域中实现电路控制与保护的理想选择。

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