搜索结果：WNSC2D04650
共 14 条- 匹配型号14
- 有数据手册6
- 涉及品牌2
产品搜索结果共 14 条
| 对比 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 产品描述 | 技术资料 | 替代 | 操作 |
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| 单二极管 | 查看详情 | ||||||
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| 单二极管 | DIODE SIL CARB 650V 4A TO220AC | 数据手册2 | 查看详情 | ||||
| 二极管 - 整流器 - 单 | DIODE SIL CARB 650V 4A TO220AC | 数据手册2 | 查看详情 | ||||
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| 单二极管 | DIODE SIL CARBIDE 650V 4A DPAK | 查看详情 | |||||
| 二极管 - 整流器 - 单 | DIODE SIL CARBIDE 650V 4A DPAK | 查看详情 | |||||
| 单二极管 | DIODE SIL CARBIDE 650V 4A 5DFN | 数据手册2 | 查看详情 | ||||
| 二极管 - 整流器 - 单 | DIODE SIL CARBIDE 650V 4A 5DFN | 数据手册2 | 查看详情 | ||||
| 单二极管 | DIODE SIL CARBIDE 650V 4A TO220F | 查看详情 | |||||
| 二极管 - 整流器 - 单 | DIODE SIL CARBIDE 650V 4A TO220F | 查看详情 | |||||
| 单二极管 | 该碳化硅二极管采用独立式结构，额定正向电流为4A，最大反向重复峰值电压达650V，典型正向压降为1.53V，在浪涌条件下可承受高达32A的非重复峰值正向电流。凭借碳化硅材料的特性，器件在高频、高温环境下展现出优异的稳定性和效率，适用于对开关速度和能效要求较高的电源转换、功率因数校正及各类高密度电力电子系统中。 | 数据手册1 | 查看详情 | ||||
| 单二极管 | 该碳化硅二极管采用独立式结构，额定正向电流为4A，最大反向重复电压为650V，正向导通压降典型值为1.3V，具有较低的导通损耗。其非重复峰值正向浪涌电流能力达36A，能够有效应对短时过载情况。得益于碳化硅材料的物理特性，器件在高频工作和较高结温条件下仍可维持稳定电气性能，适用于高效率电源、功率因数校正电路及对能效和热管理有严格要求的电力电子系统。 | 数据手册1 | 查看详情 |
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