JSMSEMI(杰盛微)China
11N10-JSM
Transistors - FETs, MOSFETs - Single专为中高压环境下消费电子设备的电源管理而设计，实现高效、稳定的开关控制，是优化系统性能的理想半导体元件。
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Key specs
ChannelN-channel
Drain-source voltage100 V
Continuous drain current15 A
On-resistance100 mΩMax · 10V
| Power | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 100V |
| 连续漏极电流(Id) | 15A |
| Other | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 100mΩ@10V,10A |
| 数量 | 1个N沟道 |
Documents
DatasheetDatasheet · 35.2 MB · 2026-09-21DatasheetDatasheet · 2.0 MB · 2026-09-21DatasheetDatasheet · 1.6 MB · 2026-09-21DatasheetDatasheet · 1.6 MB · 2026-09-21DatasheetDatasheet · 622.4 KB · 2026-09-21DatasheetDatasheet · 413.5 KB · 2026-09-21DatasheetDatasheet · 371.1 KB · 2026-09-21DatasheetDatasheet · 225.2 KB · 2026-09-21
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