HXY MOSFET(华轩阳电子)China
1N4448W
Switching Diodes这款开关二极管以其0.3A的电流和100V的电压额定值，确保了在各种应用场景中的稳定性能。其1.25V的低压降和0.1uA的反向电流进一步提升了效率。而4A的浪涌电流承受能力则保证了在突发情况下的可靠性。适用于多种电子设备中。(1N4448W-7-F)
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View full reportTechnical parameters
Key specs
Reverse voltage80 V
Average rectified current250 mA
Forward voltage1.25 VMax · 0.15A
| Power | |
|---|---|
| 整流电流 | 250mA |
| Other | |
| 二极管配置 | 独立式 |
| 正向压降(Vf) | 1.25V@0.15A |
| 直流反向耐压(Vr) | 80V |