HXY MOSFET(华轩阳电子)China

该稳压二极管的标称稳压值（VR）为11V，在反向击穿区可提供稳定的电压参考。其最大正向电流（IF）为23A，正向导通压降（VF）为5V，适用于需一定电流承载能力的场合。反向漏电流（IR）低至1.2μA，有助于减少静态功耗并提升电路精度。器件额定耗散功率（PD）为2W，具备良好的热性能与长期工作可靠性。广泛应用于电源稳压单元、模拟信号处理电路、电压钳位保护及高精度基准源设计中，满足多种电子系统对电压稳定性的需求。【联系：sales@hxymos.com】