HXY MOSFET(华轩阳电子)China

该稳压二极管的反向击穿电压（VR）为51V，适用于需要较高稳压值的电路场景。其正向导通电流（IF）可达5A，正向导通压降（VF）为1V，具备较低的导通损耗和良好的电流承载能力。反向漏电流（IR）为1.2μA，确保在截止状态下具有优异的阻断特性。器件额定功率（PD）为1W，适合中等功率应用。常用于电源适配器、消费类电子设备、通信模块及嵌入式系统中的电压箝位、过压保护与稳压电路，有助于提升整体电路的稳定性和可靠性。【联系：sales@hxymos.com】