HXY MOSFET(华轩阳电子)China

该稳压二极管的反向击穿电压（VR）为68V，适用于需要稳定电压参考的电路设计，确保在电压波动时维持正常工作状态。正向导通电流（IF）可达3.7A，正向压降（VF）为1V，具备良好的导通性能。反向漏电流（IR）低至1.2μA，有效减少静态功耗。最大耗散功率（PD）为1W，适合中等功率应用。常用于电源稳压、过压保护及信号电路的电压箝位，适用于通信设备、消费类电子产品和精密仪器中的电压管理方案。【联系：sales@hxymos.com】