HXY MOSFET(华轩阳电子)China
这款消费级MOSFET采用SOT-363微型封装，内含双N沟道结构，额定电压高达60V，最大连续电流为0.1A，适用于低功率电子设备的精密电源管理和高效开关应用。其小巧尺寸与高性能设计提供了灵活且可靠的电路解决方案。
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Key specs
ChannelN-channel
Drain-source voltage60 V
Continuous drain current115 mA
On-resistance3 ΩMax · 10V
| Power | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 60V |
| 连续漏极电流(Id) | 115mA |
| Other | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3Ω@10V,500mA |
| 数量 | 2个N沟道 |