HXY MOSFET(华轩阳电子)China
2N7002K-T1-GE3-HXY
Transistors - FETs, MOSFETs - Single2N7002K-T1-GE3 是一款高性能N沟道MOSFET，采用小型SOT-23封装，特别适合于紧凑型电子设计。它能在60V的电压下稳定工作（VDSS），并支持0.3A的最大连续漏极电流（ID）。关键优势在于其超低的导通电阻RD(on)仅为1000mR，有效减少能量损耗，提升系统效率。广泛应用在电源转换、负载开关以及低电压、小电流的逻辑电平转换等领域，是工程师们的理想组件之一。
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Key specs
ChannelN-channel
Drain-source voltage60 V
Continuous drain current300 mA
On-resistance2 ΩMax · 10V
| Power | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 60V |
| 连续漏极电流(Id) | 300mA |
| Other | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2Ω@10V |
| 数量 | 1个N沟道 |