HXY MOSFET(华轩阳电子)China
该消费级N沟道MOSFET采用SOT-523微型封装，具有60V高耐压和0.1A电流处理能力，专为紧凑型、低功耗电子设备设计，实现精细电源管理与高效开关功能。
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Key specs
ChannelN-channel
Drain-source voltage60 V
Continuous drain current115 mA
On-resistance3 ΩMax · 10V
| Power | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 60V |
| 连续漏极电流(Id) | 115mA |
| Other | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3Ω@10V,0.115A |
| 数量 | 1个N沟道 |