HXY MOSFET(华轩阳电子)China

该NPN型三极管具备150mA集电极电流（IC）和50V集电极-发射极耐压（VCEO），适用于中低压电路设计。其直流电流增益（HFE）在180至390之间，确保了放大性能的稳定性与一致性。180MHz的特征频率（FT）使其在高频应用中具备优异的响应能力，适合用于射频信号放大、高速开关电路及小信号处理模块。广泛应用于通信设备、便携式电子产品、音频前置放大级和数字逻辑控制电路中，满足对高频特性与增益精度有要求的通用电路设计需求。【联系：sales@hxymos.com】