ALJ(龙晶微)China

特性：N沟道MOSFET。VDS = 30V。ID =0.1A。RDS(on)@VGS =4V < 8Ω。RDS(on)@VGS = 2.5V <13Ω。导通电阻低、开关速度快。低电压驱动，适合便携设备。应用：接口电路和开关电路等。