JSMSEMI(杰盛微)China
30N06-JSM
Transistors - FETs, MOSFETs - Single适用于电池保护、负载开关等应用，拥有低导通电阻和快速切换特性，为电子设备提供可靠高效的功率管理解决方案。
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Key specs
ChannelN-channel
Drain-source voltage60 V
Continuous drain current30 A
On-resistance30 mΩMax · 10V
| Power | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 60V |
| 连续漏极电流(Id) | 30A |
| Other | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 30mΩ@10V |
| 数量 | 1个N沟道 |
Documents
DatasheetDatasheet · 2.0 MB · 2026-09-21DatasheetDatasheet · 1.6 MB · 2026-09-21DatasheetDatasheet · 1.5 MB · 2026-09-21DatasheetDatasheet · 622.4 KB · 2026-09-21DatasheetDatasheet · 413.5 KB · 2026-09-21DatasheetDatasheet · 371.1 KB · 2026-09-21DatasheetDatasheet · 225.2 KB · 2026-09-21
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