HXY MOSFET(华轩阳电子)China
本品为消费级N沟道MOSFET，采用高效TO-252-2L封装。具备60V耐压及30A电流承载能力，适用于各类中低压开关电路，能有效提升系统能效，稳定可靠，是您电子产品设计的理想选择。
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Key specs
ChannelN-channel
Drain-source voltage60 V
Continuous drain current30 A
On-resistance26 mΩMax · 10V
| Power | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 60V |
| 连续漏极电流(Id) | 30A |
| Other | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 26mΩ@10V,15A |
| 数量 | 1个N沟道 |