VBsemi(微碧半导体)China
30N06L-VB
Transistors - FETs, MOSFETs - Single台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应管，具有高效、稳定和可靠的特性，可满足不同应用的需求，适用于设计稳定可靠的电源供应模块、电动工具、电动车控制器、LED照明等领域。TO252；N—Channel沟道,60V；45A；RDS(ON)=25mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；
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Key specs
ChannelN-channel
Drain-source voltage60 V
Continuous drain current45 A
| Power | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 60V |
| 连续漏极电流(Id) | 45A |
| Other | |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 耗散功率(Pd) | 3W |