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View full reportTechnical parameters
| Power | |
|---|---|
| CTR-最小电流传输比率 | 100% |
| ID-最大漏极电流 | 4A |
| IF-二极管正向电流 | 60mA |
| VCEO耐压/输出负载电压 | 55V |
| VDSS-最大漏源电压 | 300V |
| 最大暗电流 | 100nA |
| 最大输出电流 | 100mA |
| AC and DC characteristics | |
| 共模抑制比 | NKV/us |
| Environment and package | |
| VISO-隔离电压等级 | 5000V |
| 封装类型1 | TO252 |
| 最大工作温度 | 100℃ |
| 最小工作温度 | -55℃ |
| Other | |
| Pd-功率耗散 | 150mW |
| Qg-栅极电荷 | NnC |
| VF-二极管导通压降 | 1.5V |
| Vgs-栅源耐压 | 20V |
| 内置ESD保护二极管 | 0 |
| 内置整流二极管 | 0 |
| 引脚数量1 | 3 |
| 最大数据速率 | NMbps |