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Technical parameters

Power
ID-最大漏极电流4A
Id-额定电流4A
VDSS-最大漏源电压30V
Vgs(th)-门槛电压1.3V
AC and DC characteristics
RDS(on)-漏源导通阻抗50mΩ
Ron-最大导通阻抗50mΩ
Environment and package
封装类型1SOT23
最大工作温度150℃
最小工作温度-55℃
Other
Ciss-输入电容645pF
Ciss-输入等效电容645pF
Pd-功率耗散1.4W
Pd-最大功率耗散1.4W
Qg-栅极电荷7nC
Vdss-漏源耐压30V
Vgs-栅源耐压12V
内置ESD保护二极管0
内置整流二极管0
应用场合1无线充电
应用案例1(罗马仕)无线充电移动电源
引脚数量13
集成ESD保护二极管0
集成整流二极管0

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