HXY MOSFET(华轩阳电子)China
AO3423-HXY
Transistors - FETs, MOSFETs - SingleAO3423 P沟道MOSFET,选用小巧型SOT-23-3L封装,专为高效能、低功耗电路设计。该器件拥有出色电气参数,最大工作电压VDSS高达20V,可承受连续电流ID4.1A,而其优秀的导通电阻仅34mR,有效降低了功率损耗并提升了系统效率。广泛应用于电源管理、负载开关、电机驱动等领域,AO3423 以卓越的性能表现和高度可靠性,成为电路设计师的理想元件选择。
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Key specs
ChannelP-channel
Drain-source voltage20 V
Continuous drain current4.1 A
On-resistance45 mΩMax · 4.5V
| Power | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 20V |
| 连续漏极电流(Id) | 4.1A |
| Other | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 45mΩ@4.5V |
| 数量 | 1个P沟道 |