HXY MOSFET(华轩阳电子)China

该肖特基二极管为独立式结构，额定平均正向电流（IF）为2A，最大反向重复峰值电压（VR）达60V。其正向压降（VF）为0.7V，有助于降低导通损耗；在反向偏置条件下，最大反向漏电流（IR）为500μA。器件具备较强的瞬态耐受能力，最大正向浪涌电流（IFSM）可达50A。适用于开关电源、电池供电设备及各类需要高效整流与快速响应的电子电路中。