HXY MOSFET(华轩阳电子)China

该肖特基二极管采用独立式结构，额定正向平均电流（IF）为0.07A，最大反向重复峰值电压（VR）达70V。其正向压降（VF）为1V，在关断状态下反向漏电流（IR）仅为0.1μA，体现出良好的低功耗特性。器件可承受的正向浪涌电流（IFSM）为0.1A，适用于对空间和能效敏感的小型电子系统，如便携设备、消费类电子产品中的整流、箝位及高频开关功能。