HXY MOSFET(华轩阳电子)China

此款NPN三极管（BJT）专为高效能应用设计，集电极-发射极电压VCEO高达160V，确保在高压环境下的稳定操作。其集电极电流IC为0.6A，适合处理中等负载需求。直流电流增益HFE范围在100至300之间，提供出色的信号放大性能。特征频率FT达到100MHz，保证了高速开关与信号处理能力。该三极管适用于各种电路，包括但不限于音频放大、电源管理及信号处理模块，满足多种电子设备的需求。