HXY MOSFET(华轩阳电子)China

这款NPN型三极管是专为精密电路设计的半导体元件，具备优秀的电气特性。其集电极-发射极击穿电压（VCEO）高达45V，适合应用于需要稳定电压输出的场合。最大集电极电流（IC）为0.1A，适用于各种低功耗电子设备。电流增益（HFE）在420至800之间，确保了信号放大的高效率与可靠性。此外，该三极管的特征频率（FT）为100MHz，表明其在高频信号处理方面同样表现出色，适用于通讯装置、音频设备等复杂电路的设计与开发。