TDD(台冠电子)China
三极管配置 独立式；晶体管类型PNP；1个PNP；直流电流增益(hFE)420~800；集电极截止电流(Icbo)100nA ；集射极饱和电压(VCE(sat))500mV；集射极击穿电压(Vceo)45V；射基极击穿电压(VEBO)5V；特征频率(fT)100MHz； 集电极电流(IC)100mA；耗散功率(pd)200mW；工作结温范围-55℃~+150℃
All alternatives
View full reportTechnical parameters
No technical parameters are available for this part.
Documents
No documents are linked to this part yet.