HXY MOSFET(华轩阳电子)China
【联系:sales@hxymos.com】该PNP型双极结型三极管(BJT)支持1A的集电极电流,集电极-发射极击穿电压VCEO为45V,特征频率FT为100MHz,适用于中频放大及开关应用。其直流电流增益HFE范围在100至250之间,具备良好的放大特性和稳定性。器件可广泛用于电源管理电路、音频输出级、信号缓冲以及各类便携式或消费类电子设备中的模拟控制功能。
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View full reportTechnical parameters
Key specs
Collector-emitter voltage45 V
DC current gain100
| Environment and package | |
|---|---|
| 封装 | SOT-223 |
| Other | |
| FT | 100MHz |
| HFE | 100-250 |
| IC | 1A |
| TYPE | PNP |
| VCEO | 45V |