HXY MOSFET(华轩阳电子)China
此PNP型三极管（BJT）具备0.2A的集电极电流(IC)和40V的集电极-发射极电压(VCEO)，适用于需要中等功率处理能力的电路。其直流电流增益(HFE)在100到300之间，确保了信号放大过程中的高效性能。特别值得一提的是，它拥有高达300MHz的过渡频率(FT)，表明该元件在高频应用环境下同样表现出色。这种三极管非常适合应用于无线通信模块及音频设备中，为设计者提供了在高频率下保持稳定增益的灵活选择。(BCW29,215)
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View full reportTechnical parameters
Key specs
Collector-emitter voltage40 V
Collector current200 mAMax
Power200 mWMax
| Power | |
|---|---|
| 集射极击穿电压(Vceo) | 40V |
| 集电极电流(Ic) | 200mA |
| AC and DC characteristics | |
| 特征频率(fT) | 300MHz |
| Other | |
| 耗散功率(Pd) | 200mW |