HXY MOSFET(华轩阳电子)China
这款NPN型三极管（BJT）拥有0.5A的集电极电流IC，适用于需要中等功率处理能力的应用场景。其集电极-发射极电压VCEO最高可达45V，确保在不同电压水平下的稳定操作性能。直流电流增益HFE范围为250至600，保证了高效的信号放大效果。特征频率FT达到100MHz，使其在高频应用中表现出色，适合用于无线通信设备、家庭音响系统及各类电子装置中，实现精确信号放大与快速开关控制。此组件以其可靠的性能和适应性，成为多种电子设计中的理想选择。(BCX19,235)
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Key specs
TypeNPN
Collector-emitter voltage45 V
Collector current500 mAMax
DC current gain1000.5A
| Power | |
|---|---|
| 集射极击穿电压(Vceo) | 45V |
| 集电极电流(Ic) | 500mA |
| AC and DC characteristics | |
| 直流电流增益(hFE) | 100@0.5A,0.62V |
| Other | |
| 晶体管类型 | NPN |