HXY MOSFET(华轩阳电子)China
【联系：sales@hxymos.com】该肖特基二极管为独立式配置，额定正向电流为3A，最大反向电压达200V。其正向压降为0.95V，在较高反向耐压下仍保持相对较低的导通损耗；反向漏电流为100μA，表现出良好的阻断特性。器件可承受高达70A的非重复峰值正向浪涌电流，适用于对耐压和瞬态响应有要求的电源整流、开关模式电源输出级以及极性保护等电路场合。
All alternatives
View full reportTechnical parameters
Key specs
Forward voltage950 mVMax
| Environment and package | |
|---|---|
| 封装 | SMB |
| Other | |
| IF | 3A |
| IFSM | 70A |
| IR | 100uA |
| VF | 0.95V |
| VR | 200V |
| 二极管配置 | 独立式 |