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Technical parameters

Power
ID-最大漏极电流0.22A
Id-额定电流0.22A
VDSS-最大漏源电压50V
Vgs(th)-门槛电压1.5V
AC and DC characteristics
RDS(on)-漏源导通阻抗3500mΩ
Ron-最大导通阻抗3500mΩ
Environment and package
封装类型1SOT323
最大工作温度150℃
最小工作温度-55℃
Other
Ciss-输入等效电容43pF
Pd-功率耗散0.2W
Pd-最大功率耗散0.2W
Qg-栅极电荷NnC
Vdss-漏源耐压50V
Vgs-栅源耐压20V
内置ESD保护二极管0
内置整流二极管0
引脚数量13
集成ESD保护二极管0
集成整流二极管0

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