HXY MOSFET(华轩阳电子)China
该双向可控硅模块具备6A的通态电流（It）和600V的断态峰值电压（Vdrm），适用于中等功率交流控制应用。内部集成单个双向可控硅，可实现对交流负载的全周期导通控制。25mA的门极触发电流（Igt）适中，兼容多种常见驱动电路，确保触发稳定性。器件广泛用于照明调光、电热设备功率调节、小型电机调速及交流开关电路，适合对控制精度和运行可靠性有要求的电子设备，为交流负载的动态管理提供有效的半导体解决方案。【联系：sales@hxymos.com】
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Key specs
Off-state voltage600 V
Gate trigger current25 mAMax
| Power | |
|---|---|
| 断态峰值电压(Vdrm) | 600V |
| 通态电流(It) | 6A |
| 门极触发电流(Igt) | 25mA |
| Environment and package | |
| 封装 | TO-220A |
| Other | |
| 可控硅类型 | 1个双向可控硅 |