HXY MOSFET(华轩阳电子)China

该肖特基二极管采用独立式结构，额定正向电流（IF）为2A，最大反向电压（VR）达40V。其正向压降（VF）为0.55V，有助于降低导通损耗；在反向偏置条件下，漏电流（IR）为500μA。器件具备70A的非重复峰值正向浪涌电流能力（IFSM），适用于电源整流、极性保护、开关电源输出级以及高频信号处理等对效率和响应速度有要求的电子电路中。