HXY MOSFET(华轩阳电子)China

该稳压二极管的反向击穿电压（VR）为11V，可在输入电压波动时提供稳定的电压基准。正向导通电流（IF）最高达5A，正向导通压降（VF）仅为0.1V，具备较强的电流处理能力与较低的导通损耗。在反向截止状态下，漏电流（IR）低至0.9μA，确保良好的阻断性能。器件最大功耗（PD）为0.2W，适用于中小功率电路中的电压钳位、过压防护及稳压参考等应用，常用于电源模块、通信设备及消费类电子产品的信号保护与电压调节设计中。【联系：sales@hxymos.com】