HXY MOSFET(华轩阳电子)China

该稳压二极管的反向击穿电压（VR）为15V，适用于需要稳定参考电压的电路设计。其正向最大电流（IF）可达5A，正向压降（VF）仅为0.1V，具备良好的导通性能与能量效率。在反向截止状态下，漏电流（IR）低至0.9μA，有效减少静态功耗。器件的额定功率（PD）为0.2W，适合在紧凑型电子设备中实现电压钳位、过压保护与电源稳压功能，广泛应用于便携式装置、通信模块及低功耗直流电源系统中，确保电压波动下的工作稳定性。【联系：sales@hxymos.com】