HXY MOSFET(华轩阳电子)China

该稳压二极管的反向击穿电压（VR）为36V，可在该电压附近实现稳定的电压钳位，适用于中低压电路中的稳压与过压保护。正向电流（IF）为2A，具备一定的电流处理能力，正向导通压降（VF）仅为0.1V，有助于降低导通损耗，提高能效。在反向截止状态下，漏电流（IR）低至0.9μA，表现出良好的阻断性能。器件额定功率（PD）为0.5W，适合用于小型电子设备、电源管理单元及信号调理电路中，作为电压参考或保护元件，在确保电路稳定性方面发挥重要作用。【联系：sales@hxymos.com】