HXY MOSFET(华轩阳电子)China

此款碳化硅二极管具备2A的正向电流（IF/A），可承受高达1200V的反向电压（VR/V），适用于需要高电压稳定性的电子设备。其正向电压（VF/V）为1.4V，有助于减少能量损失，提高系统效率。该二极管的反向漏电流（IR/uA）仅为8微安，展示出优异的隔离特性。同时，它能够承受最高24A的瞬态正向浪涌电流（IFSM/A），增强了在复杂电路条件下的可靠性与耐用性，是追求高性能应用的理想选择。