HXY MOSFET(华轩阳电子)China

这款碳化硅二极管具有5A的正向电流（IF/A），能够承受最高达1200V的反向电压（VR/V），确保了其在高电压环境下的可靠性。该二极管的正向电压降（VF/V）仅为1.4V，在保证高效能的同时减少了能量损耗。其反向漏电流（IR/uA）控制在100微安以内，显示出良好的阻断性能。此外，瞬态正向浪涌电流（IFSM/A）可达45A，表明该二极管能够在短时间内处理较大的电流波动，适用于需要高效率及高可靠性的电路设计中。