HXY MOSFET(华轩阳电子)China

【联系：sales@hxymos.com】该肖特基二极管采用独立式结构，额定正向电流为1A，最大反向电压达100V，正向压降典型值为0.85V，有助于减少导通损耗并提升能效。在100V反向电压下，其漏电流不超过100μA，表现出良好的反向阻断能力。器件可承受高达30A的非重复峰值浪涌电流（IFSM），适用于高频整流、开关电源次级侧、适配器、消费类电子设备及对效率和热性能有要求的低压直流电路中。