HXY MOSFET(华轩阳电子)China
【联系：sales@hxymos.com】该肖特基二极管采用独立式配置，额定正向电流为3A，最大反向电压达100V。其正向压降为0.85V，在100V反向电压下漏电流仅为20μA，表现出良好的反向阻断特性。器件可承受高达80A的非重复峰值正向浪涌电流，适用于对反向耐压要求较高、同时需兼顾效率与可靠性的电源整流、开关电源输出端以及高频续流等电路场景。
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Key specs
Forward voltage850 mVMax
| Environment and package | |
|---|---|
| 封装 | SMC |
| Other | |
| IF | 3A |
| IFSM | 80A |
| IR | 20uA |
| VF | 0.85V |
| VR | 100V |
| 二极管配置 | 独立式 |