HXY MOSFET(华轩阳电子)China
【联系：sales@hxymos.com】该肖特基二极管采用独立式结构，额定正向电流为3A，最大反向电压达100V。其正向压降典型值为0.85V，在导通状态下具有较低的功耗表现；反向漏电流仅为20μA，有助于提升系统能效。器件可承受高达80A的非重复峰值正向浪涌电流，适用于对效率和瞬态响应要求较高的电源整流、高频转换及低压输出场景，具备良好的热稳定性和可靠性。
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Key specs
Forward voltage850 mVMax
| Environment and package | |
|---|---|
| 封装 | SMC |
| Other | |
| IF | 3A |
| IFSM | 80A |
| IR | 20uA |
| VF | 0.85V |
| VR | 100V |
| 二极管配置 | 独立式 |