TDSEMIC(拓电半导体)China

拓电半导体ESD瞬态电压抑制器件，单向结构，采用SOD-323封装。反向截止电压3.3V，钳位电压13V，峰值脉冲功率150W，峰值脉冲电流16A@10/1000us。工作温度范围-55℃~+150℃，结电容195pF。符合IEC 61000-4-2防护标准，适用于电源端口、I/O接口、通讯线路的瞬态电压保护，有效防止静电放电(ESD)、电快速瞬变(EFT)和浪涌电压对敏感电子元件的损害。