VBsemi(微碧半导体)China
CEU50N06-VB
Transistors - FETs, MOSFETs - Single台积电流片,长电科技封装;是一款单通道N型场效应晶体管,采用Trench工艺,具有较低的导通电阻和较高的性能,适用于各种中等功率的电源管理和驱动应用,为相关领域提供了可靠的解决方案。TO252;N—Channel沟道,60V;58A;RDS(ON)=10mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=1~3V;
All alternatives
View full reportTechnical parameters
Key specs
ChannelN-channel
Drain-source voltage60 V
| Power | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 60V |
| Other | |
| 数量 | 1个N沟道 |