HXY MOSFET(华轩阳电子)China
该DFN1006-2L封装的双向ESD静电防护二极管适用于5V系统，提供单通道高效保护。具有5.5A峰值脉冲电流IPP能力，能有效抑制双向瞬态ESD冲击，确保电路稳定运行。其结电容为10pF，适合高速数据接口应用，兼具良好的信号完整性和卓越的静电防护性能，是现代电子设备理想的抗静电方案。
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View full reportTechnical parameters
Key specs
Reverse standoff voltage5 V
Clamping voltage9.8 VMax
PolarityBidirectional
| Power | |
|---|---|
| 反向截止电压(Vrwm) | 5V |
| 峰值脉冲电流(Ipp) | 9A |
| 钳位电压 | 9.8V |
| Other | |
| 极性 | 双向 |